Estudios por impedancia eléctrica de nanoestructuras de ZnO


Autores/as

  • Carlos Vargas-Hernadez UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA
  • David Alfredo Garzon Ramos UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA
  • Eduardo Cano Plata UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

DOI:

https://doi.org/10.22517/23447214.8691

Palabras clave:

Impedancia Eléctrica, nanoestructura, SILAR, XRD, ZnO

Resumen

Se realizaron estudios estructurales y de impedancia eléctrica de nanoestructuras semiconductoras de ZnO, las partículas se encuentran sintetizadas en forma de polvo y películas en sustratos de vidrio. Se describe también el proceso de deposición de las películas a través del método SILAR, proceso que se deriva de la técnica CBD. El análisis XRD muestra tamaños de cristalito de hasta 100 , y coeficientes de texturas comprendidos entre 3.5 y 1.5 para las películas, además de encuentra influencia en la calidad de la película en respuesta al precursor de zinc empleado. La técnica de Espectroscopía de Impedancias indica que el polvo de ZnO compactado presenta un comportamiento altamente resistivo, con resistencia del orden 3.2x108Ω, llegando sugerir que el material tiende a comportarse como capacitivo puro.

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Publicado

2013-08-27

Cómo citar

Vargas-Hernadez, C., Garzon Ramos, D. A., & Cano Plata, E. (2013). Estudios por impedancia eléctrica de nanoestructuras de ZnO. Scientia Et Technica, 18(2), 309–314. https://doi.org/10.22517/23447214.8691

Número

Vol. 18 Núm. 2 (2013)

Sección

Eléctrica

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