Curvas de presión para el crecimiento de recubrimientos de TiAlN por la técnica Magnetrón Sputtering Tríodo


Autores/as

  • DIANA MARCELA DEVIA NARVAEZ UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PEREIRA
  • DIEGO FERNANDO DEVIA NARVAEZ
  • HAROLD DUQUE SANCHEZ

DOI:

https://doi.org/10.22517/23447214.8749

Palabras clave:

Curvas de Presión, Histéresis, Magnetrón Sputtering Tríodo, Microestructura, TiAlN.

Resumen

Se depositó recubrimientos de Nitruro de Titanio (TiAlN) por medio de la técnica Magnetrón Sputtering Tríodo variando la presión. El análisis se realizó aumentando y disminuyendo la presión de trabajo, para determinar las curvas de presión. Estas curvas se realizaron en una atmosfera de N2/Ar y utilizando un blanco de Titanio-Aluminio. Se observó un cambio en la microestructura a partir de los análisis de difracción de rayos X.

Descargas

Los datos de descargas todavía no están disponibles.

Descargas

    Vistas(Views): 242
  • PDF Descargas(Downloads): 327

Publicado

2013-12-30

Cómo citar

DEVIA NARVAEZ, D. M., DEVIA NARVAEZ, D. F., & DUQUE SANCHEZ, H. (2013). Curvas de presión para el crecimiento de recubrimientos de TiAlN por la técnica Magnetrón Sputtering Tríodo. Scientia Et Technica, 18(4), 646–650. https://doi.org/10.22517/23447214.8749

Número

Vol. 18 Núm. 4 (2013)

Sección

Mecánica

Licencia

Derechos de autor y licencias

La revista es de acceso abierto gratuito y sus artículos se publican bajo la licencia Creative Commons Atribución/Reconocimiento-No Comercial-Compartir bajo los mismos términos 4.0 Internacional — CC BY-NC-SA 4.0.

Los autores de un artículo aceptado para publicación cederán la totalidad de los derechos patrimoniales a la Universidad Tecnológica de Pereira de manera gratuita, teniendo en cuenta lo siguiente:  En caso de que el trabajo presentado sea aprobado para su publicación, los autores deben autorizar de manera ilimitada en el tiempo, a la revista para que pueda reproducirlo, editarlo, distribuirlo, exhibirlo y comunicarlo en cualquier lugar, ya sea por medios impresos,  electrónicos, bases de datos, repositorios, discos ópticos, Internet o cualquier otro medio  requerido.

Los cedentes mediante contrato CESIÓN DE DERECHOS PATRIMONIALES declaran que todo el material que forma parte del artículo está totalmente libre de derechos de autor de terceros y, por lo tanto, se hacen responsables de cualquier litigio o reclamación relacionada o reclamación relacionada con derechos de propiedad intelectual, exonerando de toda responsabilidad a la Universidad Tecnológica de Pereira (entidad editora) y a su revista Scientia et Technica. De igual forma, los autores aceptan que el trabajo que se presenta sea distribuido en acceso abierto gratuito, resguardando los derechos de autor bajo la licencia Creative Commons Atribución/Reconocimiento-No Comercial- Compartir bajo los mismos términos 4.0 Internacional — CC BY-NC-SA 4.0. 

 https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/

A los autores, la revista Scientia et Technica tiene la obligación de respetarle los derechos morales (artículo 30 de la Ley 23 de 1982 del Gobierno Colombiano) que se les debe reconocen a estos la paternidad de la obra, el derecho a la integridad y el derecho de divulgación.  Estos no se pueden ceder ni renunciar.